三星推出11纳米FinFET 制程，并宣布7纳米制程将全面导入EUV

随着台积电宣布全世界第一个 3 纳米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 纳米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。

台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 纳米的 FinFET，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 纳米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。

根据三星表示，11 纳米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 纳米和 10 纳米制程的融合，一方面采用 10 纳米制程 BEOL (后端制程)，可以大大缩小芯片面积。

另一方面，也沿用 14 纳米 LPP 制程的部分元素。未来，三星的 11LPP 制程技术将填补 14 纳米与、10 纳米制程之间的空白，号称可在同等晶体管数量和功耗下，比 14LPP 制程技术提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。另外，还可以使得晶体管的密度也有所提升。

至于，三星于 2016 年 10 月开始投产 10 纳米制程技术「10LPE (10nm Low Power Early)」。而目前已经完成研发，达到即将投产的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」状态，主要将可协助生产更高规格的智能型手机芯片。

而三星的 14 纳米制程技术部分，则将以主流、低功耗和紧致型的芯片生产为主。目前，三星还在积极开发增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

另外，三星还表示，未来还一路准备了 9 纳米、8 纳米、7 纳米、6 纳米、5 纳米制程技术，其中 7 纳米的 7LPP 版本还将会全面加入 EUV 极紫外光刻设备制程，而且确认将在 2018 年下半年试产。

不过，也另有报导表示，在那之前的 2018 年上半年，三星会首先在 8LPP 制程的特定制程上开始使用 EUV。

三星指出，2014 年以来，已经使用 EUV 技术处理了接近 20 万片晶圆，并取得了丰硕成果。比如 256Mb SRAM 的产品良率已经达到了 80%。

而也因为三星有晶圆代工，DRAM，NAND Flash 的制造与生产能力，又在存储器产品的市占率上独占鳌头。

使得三星具有雄厚的本钱可以使用 EUV 的设备。但是，这也使得其他竞争厂商产生庞大的成本压力。因为， EUV 的价值不斐，要能够有效率的应用以增加收入，这对其他存储器厂商来说是一件具备压力的事情。

来源：TechNews 科技新报