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三星将要量产第二代10纳米内存 性能比上一代提升很多

三星公司宣布第二代10纳米8GB DDR4 DRAM内存正式开始量产,它将成为下一代计算系统的基础。

三星将要量产第二代10纳米内存 性能比上一代提升很多

三星开始量产新一代内存产品

2016年3月份,三星推出了第一款10纳米 DRAM产品。现如今,该集团正式宣布开始量产第二代10纳米8GB DDR4 DRAM产品。三星表示这将是目前最紧凑,最节能,最高效的8GB DDR4 DRAM芯片。

具体来说,新一代内存产品性能比上一代提升了10%,能源效率提升了16%。这一切要归功于三星所谓的“先进的专有电路设计”。

新产品每引脚每秒可运行3600兆比特,而上一代产品的速度为3200兆比特。这意味着三星有了更好的硬件基础,而新产品也将很快用于智能手机、笔记本电脑、个人电脑和智能手表等设备。

三星表示,目前已经完成了与CPU制造商一起进行的10纳米DDR4 DRAM验证测试,现在已经准备好与OEM合作销售该产品。毫无疑问,三星正在加快其进入半导体业务的步伐,甚至击败了英特尔,成为全球最大芯片制造商之一。

三星将要量产第二代10纳米内存 性能比上一代提升很多

此外,新的DDR4芯片单片容量可以达到8GB,相对上一代的3200MT/s的数据传速速率,在1.2V的标准电压下,新芯片能够达到3600MT/s,效率提升15%。芯片内还内置了新的嵌入式数据传感器系统,能够确保更准确的定位到单元中每个存储数据位置,以节省电路设计空间,从而在实际上缩小芯片面积。

三星也表示新的10nm工艺让他们获得了大约30%的生产力提升,特别是在单块300mm的晶圆片上获得了更多DRAM。可以推测的是新的10nm工艺仍然使用浸没式ArF(氟化氩)光刻工具,通过优化和空气隔离的措施减少了电容的放置。同时这套新技术很快会被运用的到包括DDR5、HBM3、LPDDR5和GDDR6的制造上。

【本文由“小众说科技”发布,2017年12月21日】

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