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DRAM再决雌雄,三星电子2018年全面升级到10纳米

DRAM再决雌雄,三星电子2018年全面升级到10纳米

外媒消息称,三星电子(Samsung Electronics)研发成功第二代10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片,适用于云计算中心、移动设备和高速显卡等领域。同时消息证实2018年三星将把多数现有DRAM芯片生产转为10纳米级。

第二代10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片将会带来更高性能和更佳能耗以及目前全球最小的尺寸,三星电子希望将这一代的10纳米 DRAM芯片的产能彰显出更大的市场竞争力。

第二代的10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片性能水平提升10%、能耗效率优化提升15%。相比第一代10纳米8Gb DDR4 DRAM传输率3200Mbps来说,第二代的10纳米8Gb DDR4 DRAM传输率可以达到3600Mbps。

三星电子已经完成了第二代的10纳米8Gb DDR4 DRAM模块与CPU制造商的验证,预计将增加第二代的10纳米8Gb DDR4 DRAM生产量和生产线,至于比当前主流的第一代10纳米8Gb DDR4 DRAM的生产量和生产线增加具体多少还不得而知。

也就是说,第二代10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片的产能将超过上一代产品,也就是说三星电子的第二代10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片将在不久后疯狂铺满全球市场,并与DRAM芯片同行再决雌雄。

同时三星电子还在加速其下一代DRAM芯片和系统研发,包括了DDR5、HBM3、LPDDR5、GDDR6等更多创新技术,针对企业服务器、移动设备、超级计算机、HPC和高速图形卡等领域的应用。(Aming)

——阿明/分析评论——

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