高通研发骁龙 855 芯片，台积电7纳米代工，2019年问世

根据外电报导，行动芯片龙头高通（Qualcomm）一位工程师透露，目前该司正努力研发新一代骁龙 855 行动芯片，将由台积电 7 纳米制程代工生产，预计 2019 年正式推出。

报导指出，这位工程师在 LinkedIn 的个人资料显示，目前正在从事「sdm845」和「sdm855」的开发及调测工作。这两个英文缩写很可能分别代表骁龙行动平台（Snapdragon Mobile Platform）的 845 和 855 芯片。

就相关资料看来，高通未来给高阶芯片新产品等的命名，将以数字 5 结尾，这样包括骁龙 840、骁龙 850 等产品代号不会再出现了。

报导表示，骁龙 845 芯片内部代号为 Napali v2.0，骁龙 855 则称为 Hana v1.0。

目前高通在开发用于 Snapdragon 845 的 Linux 内核驱动程序，预计 2018 年初投入商用市场。而韩国三星的 Galaxy S9 和 Galaxy S9 Plus 可能是最早配备此芯片的两款设备。

三星继 Galaxy Note 7 惨败之后，2017 年 Galaxy S8 阵容的发表时长比预期要早，造成骁龙 835 芯片供不应求，包括 Xperia XZ Premium 和 HTC U11 等手机推出时长也间接受到影响。

预计 10 纳米制程的骁龙 845 芯片可能是 7 纳米制程的骁龙 855 芯片前身。近年来，虽然高通一直与三星合作，两者一起发展行动芯片，不过骁龙 855 芯片的 7 纳米生产技术，已确认由台积电拿下。

根据业界人士表示，高通尤其注意机器学习和综合人工智能应用。因此，即将推出的骁龙 845 芯片可能会为 2018 年发表的各种 Android 旗舰型手机提供相关支援。其型号包括 Galaxy Note 9、HTC U12 等，也可能涵盖 Google 的 Pixel 3 系列。

来源：TechNews科技新报

* 如需获取更多资讯，请关注微信公众号或领英公司页面（全球半导体观察）