微米和纳米科技材料

Q4 DRAM供需吃紧更严重 年底前南亚科月产能达6.8万片

南亚科新厂效益显现,在有更大空间安置机台,并进行30纳米机台改换工程,加上产品设计、产品及客户验证执行成效佳,第3季底20纳米月产出量已逾1万片,目标今年底前每月投片量可达3.8万片。

预估到年底合计30纳米3万片产能,合计月投片量6.8万片。

南亚科总经理李培瑛昨(17)日宣布,20纳米4Gb DDR3产品已量产出货,8Gb DDR4产品规划于第4季量产。

有20纳米优势助攻,南亚科也将在睽违多年后重返服务器市场。明年也会把标准型DRAM比重提升,侧重商务NB。

李培瑛预估,南亚科第4季位元销售量预估成长约中十位数字百分比(约15%),今年全年位元销售量预估与去年相当。随20纳米量产,明年年成长率可达45%。

对于本季DRAM产业市况,李培瑛表示,供需吃紧情况比第3季严重一些,预估报价会持续上扬,其中以低功率类DRAM涨幅会较大。

从需求端来看,第四季服务器、资料中心需求热度不减,AI持续发酵,对存储器容量需求持续攀高,至于PC端则以商业市场为主,消费市场为辅。

手机的存储器需求部分,第四季为手机产业旺季,旗舰机种陆续推出,存储器容量维持3GB到6GB。

在消费性市场方面,进入产业旺季,电视、机顶盒、网通等需求持续增温。至于供给端方面,位元成长来自制程转换;并不会有大量供给增加。

展望明年第一季,李培瑛预估,随着需求持续稳健,DRAM供需仍会维持平衡,因此届时报价可望与本季持稳。

就2018年全年来看,DRAM市场将持续维持稳健;预估明年DRAM供给温和成长,年增率估在21%到23%,需求端稳健成长,预估明年整体市场需求比今年成长约22%到24%。

来源:台湾经济日报&工商时报

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