中芯国际集成电路制造有限公司，是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，提供0.35微米到28纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，拥有全球化的制造和服务基地。 在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂；在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂；在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂；在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂；在意大利有一座控股的200mm晶圆厂。

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截至2017年6月30日，中芯国际今年上半年实现营收达15.443亿美元，同比增加16.6%;毛利录得记录新高，达4.15亿美元，同比增加11.7%;毛利率为26.9%，去年同期为28.1%。公告称，期内来自28纳米的收入增长至占晶圆总收入的5.8%，同比增长13.8倍。中芯国际持续强劲表现，近期更是好消息不断。

中芯国际宣布任命赵海军、梁孟松博士为中芯国际联合首席执行官兼执行董事。

梁孟松博士，现年65岁，毕业于美国加州大学伯克利分校电机工程及电脑科学系并取得博士学位。梁博士在半导体业界有着逾三十三年经历，从事内存储存器以及先进逻辑制程技术开发。梁博士拥有逾450项半导体专利，曾发表技术论文350余篇。梁博士是电机和电子工程师学会院士。

中芯国际董事长周子学博士表示：“我非常高兴赵海军博士、梁孟松博士加入中芯国际董事会担任执行董事，欢迎梁孟松博士加入中芯国际管理团队，并与赵海军博士一起担任联合CEO。梁博士几十年专注集成电路工艺技术研发和团队管理，拥有卓越、成功的集成电路先进制程研发与管理经验。他的加入将加强中芯国际制定技术规划的能力，缩短我们与国际先进水平的差距；同时将进一步提升中芯国际的客户服务能力和既有技术水准，还将引入一流企业的先进文化，将公司的文化提升到世界一流水平。相信通过赵海军博士与梁孟松博士的联手协作，将把中芯国际带领到一个新的高度，为推动集成电路产业发展做出贡献。”

中芯国际联合首席执行官兼执行董事梁孟松博士表示：“我非常荣幸出任中芯国际联合首席执行官兼执行董事，这对我而言既是机遇也是挑战。中芯国际近年来的快速发展令业界瞩目，我期待着与董事会、赵海军博士和管理团队的精诚合作，持续提升中芯国际在国际集成电路制造领域的竞争力。”

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锐成芯微携手中芯国际推出基于55纳米嵌入式闪存平台解决方案

中芯国际与国内领先的超低功耗模拟IP供应商成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“ACTT”）联合宣布推出基于中芯国际55纳米嵌入式闪存技术平台的模拟IP解决方案。成都锐成芯微模拟IP以及中芯国际55纳米工艺技术均针对低功耗应用而开发，能够充分满足物联网产品对低成本和超长电池寿命的需求。

近年来，全球物联网市场持续快速增长，并将很快成为半导体产业的主要推动力。同时亚太区拥有潜力占据更多的市场份额，并成为全球最重要的物联网市场之一。基于中芯国际55纳米嵌入式闪存工艺，ACTT成功推出了一款低功耗物联网平台，为全球客户提供低成本、低功耗的解决方案。

“设计者需要根据物联网产品的能效指标改进解决方案。”ACTT首席执行官向建军表示，“ACTT在低功耗设计领域已深耕多年，积累了丰富的低功耗模拟电路设计经验。基于对物联网产品技术演进的判断，我们认为55纳米工艺是目前性能、功耗、成本最优的选择。中芯国际 55纳米嵌入式闪存工艺极具性能和成本优势，我们此次同中芯国际成功合作推出低功耗物联网模拟平台，能够为全球客户提供最具性价比的选择。”

中芯国际联手中兴微电子推出大陆首颗自主设计制造NB-IoT商用芯片

2017年9月28日，中芯国际与中兴微电子共同发布中国大陆首颗自主设计并制造的基于蜂窝的窄带物联网（NB-IoT）商用芯片RoseFinch7100。该芯片基于中芯国际55纳米超低功耗+射频+嵌入式闪存（55nm ULP+RF+eFlash）工艺平台制造，可广泛应用于无线表计、共享单车、智慧家电、智慧城市、智慧农业等多个物联网行业和领域。

中芯国际55nm ULP+RF+eFlash工艺是专门针对超低功耗物联网应用开发的技术平台，基于稳定成熟的55纳米逻辑及混合信号工艺，通过工艺改进和器件性能提升，将核心工作电压降低30%，动态功耗降低45%，静态功耗降低70%，SRAM 漏电大幅降低，并兼容射频工艺、嵌入式闪存工艺，以及配备完整的IP解决方案。相比其它工艺节点，中芯国际55nm ULP+RF+eFlash工艺能更好地平衡NB-IoT对于低待机功耗和小封装尺寸的严苛要求，是系统级低功耗物联网芯片设计的可靠平台。

基于中芯国际55纳米完整的超低功耗工艺技术平台，以及中兴微电子强大的设计能力，此次商用的NB-IoT系统级芯片Rose Finch7100专为低功耗广域物联网而设计，睡眠功耗2uA，在每日收发一次的条件下睡眠功耗占比为16%；此外Rose Finch7100为单芯片设计，外围极简，支持R14全频段，拥有云芯一体全局安全性能，以及开放的应用架构。

“很高兴此次能够与中兴微电子密切合作，共同推进NB-IoT芯片在中国大陆的自主设计、制造以及商业化进程。这一成果填补了中国市场的空白，也符合中芯国际的物联网技术发展战略。”中芯国际全球销售及市场执行副总裁Mike Rekuc表示，“中芯国际55纳米技术平台集成了超低功耗、射频以及嵌入式闪存工艺，因此特别适用于NB-IoT及其他物联网技术的芯片产品，能够很好地满足客户对功耗及性能的需求。”

“中芯国际的强大制造能力有效保障了中兴微电子新一代物联网NB-IoT芯片RoseFinch7100 按期商用，从测试的情况看，芯片的功能与性能达到了预期要求。在睡眠功耗、截止电压和外围接口数量等与物联网应用关联的核心指标上，都在业界处于领先水平，低成本低功耗优势明显。”中兴微电子副总经理龙志军表示，“该芯片将进一步掀起物联网行业的深度变革。同步发售的将还有数个行业合作伙伴的首款NB-IoT商用产品。该款芯片处于业界第一阵营，商用时长对标中国三大运营商的商用路演时长，有效支撑厂家卡位产品上市的最佳时长窗。”

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中芯国际、灿芯半导体及Synopsys合作开发物联网低功耗平台

亮点：

• 该物联网平台集成Synopsys的DesignWare ARC Data Fusion IP子系统和介面IP，灿芯半导体提供专业设计服务，基于中芯国际55nm超低功耗工艺，可加快物联网产品设计

• 将在中芯国际55nm ULP工艺上成功验证测试晶片，实现显著降低动态功耗、优化漏电功耗的目的

• 该平台对物联网设计中的常见功能如语音辨识、人脸识别及感测器融合等进行了优化。

中芯国际，灿芯半导体及Synopsys今日宣布合作开发物联网平台，通过该平台，设计人员、系统集成商和代工厂可以加速开发下一代物联网系统并实现差异化。该平台集合了Synopsys DesignWare® ARC® Data Fusion 子系统EM9D处理器、灿芯半导体USB和I3C IP解决方案及中芯国际55nm超低功耗工艺。相较于中芯国际55LL工艺，该平台开发的测试晶片可使动态功耗降低45%，漏电功耗降低70%。该平台经过晶片验证，可説明客户加速物联网设计的开发、集成定制化功能并降低成本。此外， Synopsys还基于此平台提供ARC物联网开发套件，简化基于ARC处理器系统的软体发展。

灿芯半导体基于中芯国际55nm工艺提供领先的定制化晶片（ASIC）和系统级晶片（SoC）一站式设计服务解决方案。通过此次合作，灿芯半导体可为客户定制应用提供设计平台，使其大大缩短包括智慧家居、可穿戴设备、智慧城市及工业类物联网应用的上市时长。

“作为领先的定制化晶片设计方案提供商，灿芯半导体与Synopsys和中芯国际紧密合作，开发基于中芯55nm ULP工艺及ARC系统的物联网平台晶片，”灿芯半导体市场与销售副总裁Larry Lee说，“我们的客户可以利用经过验证的设计平台，定制具体设计需求，争取上市时长。”

与积体电路生态系统的合作伙伴一起，中芯国际帮助设计公司开发可用于多种物联网应用的晶片。通过降低产品的工作电压、优化器件和IP设计，采用中芯国际55 nm ULP工艺，设计人员可大大降低产品的动态和静态功耗，同时降低整体系统成本。

“中芯国际55nm工艺是为物联网设计严格的功耗和成本需求而开发，” 中芯国际设计服务执行副总裁汤天申表示，“通过与灿芯半导体和Synopsys在物联网平台上的合作，我们为设计公司提供最新的低功耗55nm ULP工艺和Synopsys领先的DesignWare IP和基于ARC处理器的子系统解决方案，满足其紧张的时长进度和更低的系统成本需求。”

Synopsys ARC Data Fusion IP 子系统是一种可集成的，已经过矽验证的IP产品，它包含了软体和硬体部分，并且针对低功耗设备场景做了相应的优化，其外设介面套件PDM和I2S以及音讯处理软体的功能强化，简化了很多产品应用中语音和语言功能的实现，例如远场语音使用者介面和免提语音命令。此外，相容MIPI I3C标准的控制器，使集成多个感测器的SoC能高速传输资料，其集成的DesignWare USB 2.0控制器已在数十亿的设备上经过矽验证和量产。

“具有感测器融合、音讯重播、语音辨识等功能的Always-on物联网应用的出现要求系统针对其低功耗的需求进行优化。”Synopsys IP市场副总裁John Koeter说，“我们与灿芯半导体和中芯国际在物联网平台的合作将为SoC设计人员、系统集成商和代工厂和软体发展商开发下一代低功耗晶片组提供经过验证的行之有效的解决方案。”

目前Synopsys的DesignWare ARC Data Fusion子系统、USB控制器和I3C IP已发布，中芯国际55ULP工艺已上线生产，灿芯半导体的物联网平台一站式设计服务解决方案已建立。

中芯长电与Qualcomm宣布10纳米矽片超高密度凸块加工技术认证

中芯长电半导体有限公司（简称“中芯长电”）和 Qualcomm Incorporated 全资子公司Qualcomm Technologies, Inc.共同宣布，中芯长电已经开始 Qualcomm Technologies 10 纳米矽片超高密度凸块加工认证。这标志著继中芯长电经过一年大规模量产28纳米和14纳米矽片凸块加工之后，工艺技术和能力的进一步提升；也标志著 Qualcomm Technologies 对中芯长电综合运营能力和经营管理水平的认可。通过认证后，中芯长电将由此成为中国大陆第一家进入10纳米先进工艺技术节点产业链的半导体中段矽片制造公司，继续跻身于世界先进的工艺技术节点产业链。实现10纳米矽片凸块在国内的加工量产，是Qualcomm Technologies 支持中国集成电路产业链制造水平向主流迈进的又一具体举措，表明了Qualcomm Technologies 坚定推动中国本土产业链高端发展，大力提升本地化服务技术水平，持续支持中国向更加智能化社会发展的决心。

中芯长电由中芯国际携手长电科技于2014年8月成立，2015年12月 Qualcomm Incorporated 子公司 Qualcomm Global Trading Pte Ltd. 对其进行增资，组建仅仅三年，于2016年实现了28纳米和14纳米矽片凸块加工的量产，目前已实现12英寸晶圆单月超1万片的大规模出货。中芯长电在超高密度凸块加工工艺上，不仅实现了业界一流的生产良率，幷在接触电阻、超低介电常数（ELK）材料缺陷控制等关键技术指标上，达到业界领先水平，形成了独特的竞争优势。中芯长电将持续扩充12英寸矽片中段凸块加工产能，专注发展先进矽片级封装技术，为客户稳定可靠的先进产业链需求提供强有力的保障。

中芯长电半导体首席执行官崔东先生表示：“我非常自豪我们的团队能够在短时期内展示出世界先进水平的中段矽片制造运营管理和服务能力，幷且被 Qualcomm Technologies 所认可。与 Qualcomm Technologies 这样的世界一流公司合作，起步压力很大、门槛很高，但是感谢其一贯支持，不仅帮助我们成功地在中国建立了领先的12英寸凸块加工生产线，幷且快速地实现了稳定高效、高质量、大规模的量产。此次我们的10纳米矽片超高密度凸块技术开始认证，不仅体现了 Qualcomm Technologies 对我们公司和团队能力以及执行力的高度肯定，相信更能推动公司发展到更高技术水平。”

Qualcomm Technologies QCT 全球运营高级副总裁陈若文博士表示：“我们祝贺中芯长电在28纳米和14纳米矽片凸块加工大规模量产方面取得突出成绩。此次10纳米超高密度凸块加工开始认证，表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展，工艺技术水平达到了世界一流。中芯长电是最近几年来 Qualcomm Technologies 唯一新引入的中段矽片凸块加工制造供应商，我和团队非常高兴双方的合作能够不断取得突破。未来，10纳米凸块加工将进一步强化我们在中国半导体供应链产业的布局，体现了我们支持中国本土集成电路制造产业升级的承诺，也必将有助于我们更好地服务中国客户。”

联合CEO，彰显了中芯国际爱才招才纳才的决心，表明了中芯国际向尖端工艺进军的信心，昭示著中芯国际在新时代聚力发展，大干一番的雄心。尖端工艺研发不足是中芯国际乃至中国半导体的短板，本次赵海军和梁孟松的连袂上阵补齐了中芯国际的短板，让未来的中芯国际更值得期待。CPU和通信晶片等关键产品的制造需要尖端工艺，所以国家在投巨资发展半导体时，将发展尖端工艺作为主要目标之一。中国必须要有尖端工艺。大基金成为中芯国际第二大股东之后，中芯国际肩负的“战略使命”越来越强。作为大陆规模最大、技术实力最强的foundry，相信中芯未来会越来越好！