中国科研九年磨一剑，首套国产高端光刻机成功曝光！

2017年10月25日，据台湾媒体Digitimes报道：从2009年起头算起，中国研究团队一起攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已于近期第一次成功曝光。2022年摆布有望完成验收。这意味着，中国半导体质料和设备（工艺手艺）财产又向前跨出了关头一大步。光刻机被全球业界人士们称为“工业皇冠明珠”。而现实上，中国科研和工程人员们也都有志在将来，从“工业皇冠”上拿到这颗“明珠”。

2017年10月25日，中科院微电子所所长叶甜春在上海IC China顶峰论坛上向别人表示：中国科研团队要研发前进前辈半导体设备，实则是由于，仅在国内，半导体系编制造（手艺）财产要能稳健生长下去，质料和设备等供给链体系必需不竭强大起来。到了今天，中国研究团队在刻蚀工艺、薄膜和溅镀等方面都已获得冲破性停顿，但在研发高端光刻机方面仍然面临一系列手艺难题。

Digitimes在最新一篇报道中如是阐述：“他（叶甜春）指出，中国首套光刻机曝光体系研发，可以说是今朝是全世界难度最高的超精度手艺，尤其在超慎密光学规模，必要关头手艺自主研发。而当前中国已经在此规模获得开端冲破。”

中国首套90纳米高端光刻机，是由两个团队连系研发而成。一个团队是长春光学慎密机械和物理研究所、应用光学国家重点考试考试室，另一个团队是中科院上海光学慎密机械研究所。长春光学慎密机械和物理研究所、应用光学国家重点考试考试室担任研发物镜体系，中科院上海光学慎密机械研究所担任研发照明体系。2017年7月，这套国产90纳米高端光刻机初度曝光即乐成功。后再到2017年10月，首个国产曝光光学体系“在零件情形下经由过程验收测试”。

统一天，中国科技部原副部长，02专项光刻机工程批示部组长曹健林在本届上海IC China顶峰论坛上向别人说到：中国半导体关头质料和设备财产才刚刚起步，希望中国研究团队在今后研发光刻机过程中继续并吞难关，从而从“工业皇冠”上拿到那颗“明珠”。后面，中国研究人员们还将推进到28nm节点手艺研发，2020年就该有与之对应工程样品问世。并且，中国研究团队当前“走通了”EUV（极紫外光）事理体系，估量2018年起头主攻EUV 53波长机台。

这里不妨再引用Digitimes在这篇最新报道中一段原话：“曹健林称，光刻机的研发过程严格按照里程碑节点停止节制与设计，并建立综合设计、加工、镀膜、装配、测试、装调全工艺过程的像质预测模子，2015年7月已经完成装配，厥后睁开物镜测试台的精度晋升工作；2016年9月物镜体系已经交付，整个大硅片都已经停止分布式丈量；2017年7月初度曝光成功；2017年10月曝光光学体系在零件情形下经由过程验收测试。”

当下，中国半导体及其相干行业人士们有关注和热议着这么三个全球性行业话题：

第一，存储器价钱连续飞涨，给半导体及其相干行业形成不小影响。从2016年7月到2017年7月，存储器价钱一起狂涨，三星作为行内最大存储器研发和制造厂商，三星在2017年第2季度营收是以能赶超了英特尔。DRAM存储器价钱在一年间翻了一倍多，NAND闪存价钱也不息大涨。由于在半导体市场总规模中，存储器市场规模占比达四分之一。所以存储器价钱涨不竭，天然会对整个半导体及其相干行业带来很大影响。

第二，半导体行业中各首要厂商间竞争加剧。比如，三星2017年上半年就对自有半导体业务投下110亿美元巨资，英特尔在2017年正式量产10纳米FinFET制程工艺，SK海力士公布揭晓添加DRAM存储器产能，台积电近期也已定案将来3纳米制程工场设在台湾。

第三，中国厂商们想要从国外收购高科技厂商，从而来助推中国半导体财产生长速度，是不太适宜实际设法。比如，峡谷桥已经很是乐意高价收购FPGA芯片厂商莱迪斯半导体，但现实了局还遭到美国当局高层人员否决。无论国内，仍是国外业者们单从这一个案例便可悟出，中国半导体财产要能稳健生长并强大，唯有中国科技工作者们自主攻关一系列关头手艺。

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