微米和纳米

南亚科20nm提前一季达3.8万片 明年DRAM位元数增幅或达45%

DRAM大厂南亚科20纳米制程发威,再提前一季扩大投片,明年将全数反应20纳米带来的成本降低、产量增加商益。

南亚科的20纳米提前一季于第4季达到月投片量3.8万片,且预估第4季DRAM位元数增幅约15%,明年增幅达45%。

南亚科目前是台湾地区厂商中唯一将制程转进至20纳米,在三星、美光及SK海力士仍以升级制程,作为产能提升的主要策略,让这几年DRAM一直处于供不应求。

针对明年DRAM供需,包括集邦咨询等多家研究机构预估供需失衡情况明年仍会维持,尤其三星策略希望以DRAM作为支持集团抢占3D储存型快闪存储器(NAND Flash)的后盾,预估明年DRAM价格仍会维持高档不坠,这也是台厂南亚科绝佳获利机会。

法人强调,这次DRAM价格已打破过去景气循还模式,关键就在主要供应大厂产能有效节制,预估短期还不会打破供给增幅高于需求的默契。

南亚科内部预估,明年DRAM供给增幅仍低于需求增幅,缺口估计仍达到1~2%,明年DRAM价格仍具稳定支撑。

法人预估,南亚科今年毛利率可提升至44%,明年再大举向50%靠拢,明年不靠出售美光股票,本业每股获利都可高达11到12元(新台币),获利重返高峰。

来源:台湾经济日报

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