微米和纳米科技材料

英特尔布局半导体代工 开放22及10纳米制程代工ARM架构产品

  • 来源:TechNews科技新报

在2017年的ARM TechCon大会上,在某些领域已经形成相互争关系的半导体大厂英特尔和硅知识产权厂商AMD,两者宣布将建立广泛的合作关系。在这样的关系下,其中一个相互合作的方式,就是基于ARM核心架构的移动芯片,预计将采用英特尔的22纳米FFL制程技术,以及10纳米的HPM/GP制程技术来进行代工生产。

过去,在英特尔专注的x86核心架构市场,与ARM核心架构专注的移动市场,彼此几乎是不太有所交集。虽然,过去英特尔也曾经试图以x86核心架构,进入智能手机领域。而以ARM核心架构为主的高通,也宣布在2017年结合微软Windows 10作业程式,进军过去以x86核心架构为主笔电市场。但是,目前为止一个失败退出,另一个至今还没有推出成品。因此,在当前英特尔对半导体代工市场经营越来越积极的情况下,与曾经竞争的对手,在某些领域握手言和,携手拓展市场似乎也是件可行的事情。

而这样的事情,事实上也在日前开始落实。例如,ARM在2017年年中发表的Cortex-A55核心架构,就已经利用英特尔的22纳米FFL制程代工生产,并且实验了在智能手机上达成0.45V电压,主频2.35GHz的效能。此外,将以英特尔 10纳米HPM/GP制程技术生产的ARM架构SoC,也传出将在2017年底前流片的消息。至于,更新的一代系列核心架构,将预计实现3.5GHz主频、0.5V电压,也就是单核最大功耗只有不到0.9瓦的效能。而这样的效能,将会是高通骁龙820芯片单核心不到一半的功耗。

目前,英特尔的14纳米制程已经用在展讯的x86移动芯片产品上。不过,因为是x86的核心架构,使其进一步限制了展讯在消费级市场上的发展,也影响了英特尔在半导体代工市场的成绩。因此,为了进一步增加营收,英特尔才在ARM TechCon大会上上强调,半导体代工部分一定会针对ARM核心架构的产品进行放开代工。

根据日前英特尔公布的的资料显示,同样是10纳米制程,英特尔所拥有的制程技术,能在每平方毫米放置1亿个电晶体,台积电则只有4,800万个电晶体,而三星也不过只有5,160万个电晶体而已。因此,按照英特尔的说法,同节点的制程技术英特尔领先竞争对手达3年以上。只是,对于英特尔以10纳米制程技术来代工生产ARM芯片,谁会感到有兴趣?截至目前为止,唯一有消息流出的就只是LG而已。

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