Intel 10 纳米制程将优先生产 3D NAND Flash

【Technews科技新报】之前，芯片大厂英特尔（Intel）在中国举行的“尖端制造大会”，正式展示了由最新 10 纳米制程技术生产的晶圆，并表示 10 纳米制程技术生产的 Cannon Lake 处理器将在 2017 年底前量产，使玩家都引颈期待。但现在有消息透露，首批进入市场的 Intel 10 纳米制程技术产品，不会是大家期待的 CPU，而是目前市场价格高涨的 NAND Flash 快闪存储器。

根据业界人士透露，Intel 计划在自家最新 64 层 3D NAND Flash 快闪存储器使用最新 10 纳米制程技术。至于，为何在 3D NAND Flash 先用新制程，很可能是因为 NAND Flash 的结构相对简单，基本上就是大量同类电晶体堆积，相较之下，CPU 处理器的架构就复杂多了。使用新制程技术生产，复杂性也是关系成功与否的重要风险之一，这也是 Intel 在 14 纳米制程、10 纳米制程屡屡延后推出的一项主要因素。

照 Intel 的说法，10 纳米制程技术使用 FinFET（鳍式场效应电晶体）、Hyper Scaling（超缩微）技术，可将电晶体密度提升 2.7 倍，结果自然可以大大缩小芯片面积，对 NAND Flash 快闪存储器的设计来说，当然能大大提升容量。

不过，目前还不清楚 Intel 的 10 纳米制程 NAND Flash 具体生产情况为何，但可以确认，未来该批产品会首先用于数据中心市场，等成本下降后，再推广到消费等级市场。

（首图来源：Flickr/stargazer2020CC BY 2.0）

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