不惧高昂研发成本！英特尔推出10nm 的64层堆叠3D NAND芯片

非易失性存储器通常是一个新硅制造工艺的首选，因为它的风险很低。NAND闪存芯片本质上是一片晶体管的海洋，其研发成本就和CPU芯片一样高。英特尔(Intel) 现在推出64层堆叠3D NAND闪存的全新10纳米芯片，这是数据中心应用程序的第一个版本。

英特尔在其10nm制程中引入了FinFET Hyper Scale，将晶体管密度增加2.7倍，这使得公司能够更多地扩展NAND闪存存储密度。第一个10nm 64层3D NAND闪存芯片将具有更高的数据密度，同时，英特尔将顺势推出他们低容量，新特性的新工艺，这就解释了为什么第一批使用这些芯片的SSD是针对数据中心的。当然，这个相当昂贵的、高容量的SSD是专门为能够负担得起的客户推出的。