微米和纳米

不惧高昂研发成本!英特尔推出10nm 的64层堆叠3D NAND芯片

非易失性存储器通常是一个新硅制造工艺的首选,因为它的风险很低。NAND闪存芯片本质上是一片晶体管的海洋,其研发成本就和CPU芯片一样高。英特尔(Intel) 现在推出64层堆叠3D NAND闪存的全新10纳米芯片,这是数据中心应用程序的第一个版本。

不惧高昂研发成本!英特尔推出10nm 的64层堆叠3D NAND芯片

英特尔在其10nm制程中引入了FinFET Hyper Scale,将晶体管密度增加2.7倍,这使得公司能够更多地扩展NAND闪存存储密度。第一个10nm 64层3D NAND闪存芯片将具有更高的数据密度,同时,英特尔将顺势推出他们低容量,新特性的新工艺,这就解释了为什么第一批使用这些芯片的SSD是针对数据中心的。当然,这个相当昂贵的、高容量的SSD是专门为能够负担得起的客户推出的。

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