微米和纳米科技材料

纳米薄膜的实验过程

纳米薄膜的侧备派于经典的方法又加以改进,是典型的门】,七甲down(由上到下)的方法,包括溶胶·凝胶法、真空燕发法、进控溅射法、分子束外延被膜法、电沉积法、化学气相沉积法((.’VD) ,等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),徽光诱导化学气相沉积(LCVD)、金属有机物化学气相沉积法《MOCVD)、离子束溅射法等。

纳米薄膜的实验过程

采用溶胶凝胶法制备降吸拜有多组分均匀混合、成分易控制,成膜均匀、成本低、易于工业化生产的优点,但不是所有的薄腆材料都能很容易的制成溶胶.又很容易的找到衬板材料。细心完成溶胶侧备是本法的重要因众。

真空燕发坡膜包括以下三个革本过程:①加热燕发过程。包括山凝萦相转变为气相.睡种燕发物质在不同沮度时有不同的饱和燕气压。O汽化的原子或分子在蒸发阵与基片间的飞行。飞行过程中原子或分子将与真空室内残余气体分子硅撞.其平均自由程取决于真空室内的真空度。③在摧片表面上的淀积过程。包括燕气的凝聚、成核、核生长.形成连续薄膜。由于幕板沮度远低于燕发碑谧度,因此沉积物分子在幕板表面将找接发生从气相到固相的相转变过程。

与其他纳米薄腆生长技术相比,MHE有以下特点:①超两真空条件下生长.杂质污染少.外延膜纯度高;0生长速率低.但可情确控制单原子层厚度.可获得原子级平格的表面和界面;③生长踢度低,可获得十分陡变的接杂分布和异质界面;④叮任愈改变外延层的组分、抽杂和连续生长复杂的多层异质结构;⑤可利用高能电子衍射仪等分析手段进行原位观寮研究外延表面的结构和生长机理:⑥可将MBE设备与其他半导体仁艺设备进行真空连接.使材料的生长、镀膜、注人、刻蚀等工艺连续进行。

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