微米和纳米科技材料

法国UMS公司的0.25微米 GaN HEMT工艺获得宇航级认证

法国UMS公司的0.25微米 GaN HEMT工艺获得宇航级认证,并列入欧空局(ESA)欧洲优选器件列表(EPPL)

欧洲专注于射频、微波和毫米波器件的法国联合单片半导体(UMS)公司近日宣布其0.25微米氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺——GH25-10已成功通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)。

法国UMS公司的0.25微米 GaN HEMT工艺获得宇航级认证

GaN 0.25μm HEMT工艺为高达20GHz的大功率应用而优化,同时提供可支持低噪声放大器(LNA)设计的卓越HEMT噪声性能。该MMIC工艺包括精确TaN电阻、大TiWSi电阻、MIM电容、电导、空气跨接线,在衬底和两层金属间用于互连的穿孔。

法国UMS公司的0.25微米 GaN HEMT工艺获得宇航级认证

该工艺的可靠性研究和评估由ESA、法国国家太空研究中心(CNES)和法国国防部提供资金支持。

UMS提供的主要参数

法国UMS公司的0.25微米 GaN HEMT工艺获得宇航级认证

EPPL中提供的主要参数

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来源:大国重器

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