国产光刻机越来越近了。是的，ASML越来越近了

On 4月 30, 2022

自从2007年开始，国内科研机构、半导体企业，就在不断加大在光刻机领域的研发投入。2020年，中科院白春礼院长就曾表示，将部署光刻机等“卡脖子”领域攻关。可见，国内始终在坚持自研光刻机，且慢慢地有了很多突破，加速了光刻机的国产化。

如今，国内都有哪些光刻机技术突破？这些技术突破是否标志着光刻机国产化不远了？

国内光刻机技术的突破

大家应该还记得，2022年1月时，阿斯麦CEO温彼得曾表示，我国不太可能独立复制出顶尖光刻机技术，但并不是绝对不可能，因为我们肯定会尝试的。

他说得不错，我们肯定会尝试，并且会逐一攻克关键技术。最值得关注的是，EUV光刻机中的三大核心技术：双工件台、光源（激光）系统、物镜系统，这三个方面国内科企和科研机构都有了重要的技术突破。

1、双工件台

华卓精科自2012年成立，用了10年的时间，在“双工件台”技术方面，取得了重大突破。2016年，华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机，并成功通过验收。2020年4月，华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台，应用制程达到65nm；2021年6月，完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计，已在样机制造集成调试阶段。

这项技术的重要性，不言而喻，加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此，攻破“双工件台”技术的壁垒，不仅打破了国外的技术垄断，更为国产光刻机的研发提供了技术保证。

2、光源系统技术

国内研究光刻机的光源系统技术，属北京科益虹源最为成熟，也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造，可用于28nmDUV光刻机上。另外，中科院上海光学所的田野研究员，2021年6月2日曾公开表示，北京科益虹源正在努力攻克13.5nm波段光源技术，推进13.5nm EUV光刻光源的发展。

在光刻机光源技术方面，清华大学也贡献了自己的一份力量，2021年2月，清华大学及其合作单位，完成了新型粒子加速器光源稳态微聚束（ssmb）的首个原理验证实验。基于ssmb，能获得高功率、高中频、窄带宽的相干辐射，波长可覆盖从太赫兹到极紫外波段。简单来说，就是它可提供大功率的EUV光源，能够作为未来EUV光刻机需要的光源。

对于EUV光刻机来说，光源是最核心的技术，国内能够有这样的突破，极大的推动了国产光刻机的研究发展。

3、光学镜头（物镜技术）

光学镜头是核心技术当中，最有难度的一个，因为光刻机的镜头对光学镀膜要求非常高。特别是对EUV光刻机上镜头镜片的打磨加工，镜面光洁度不得超过0.05nm，能达到EUV光学镜头要求的，前期只有德国的卡尔蔡司。

不过，国内的长春国科精密已成功生产出90nm DUV光刻机镜头，正在突破28nm节点；国望光学也在研发28nm的ArF浸没式光刻曝光光学系统。

此外，在EUV光学镜头方面，国内也传来好消息：首先，长春光机所研制的32nm EUV光刻曝光装置也已经验收，这将可以应用在先进的光刻机上；第二，北京大学近期成功掌握了扫描透射电子显微镜技术，也是更先进的EUV物镜制程技术，突破了传统谱学在纳米尺度表征晶格动力学的局限，实现了半导体异质结晶面处局域声子模式的测量。

也就是说，国内的DUV和EUV光学镜头，都在不同的研究道路上，有所突破。这些技术的研发成功，填补了国产光刻机的核心技术空白，有利于加快国产光刻机的研发速度。

光刻机国产化不远了么？

通过上面的技术攻关，可以看得出，在光刻机的核心领域里，国内科企、科研机构，都有了很多技术突破。而这些技术，都为国内光刻机自主研发提供了技术保障，有利于早日实现光刻机国产化。

不过，这些核心技术的突破，还不能够保证研发高端光刻机。因为，高端光刻机对精度的要求非常的高，就以ASML的EUV光刻机来说，它有十万多个零部件，三千多根线路，以及长达2公里的短软管。而且，这些零部件来自世界上35个国家、5000多家企业，并且很多零部件技术都是顶尖的、独有的。

因此，如果要实现高端极紫外光刻机的国产化，我们还需要有更多的科企，加入到光刻机的供应链里。只有建立成熟的供应链生态圈，才能够实现高端光刻机的全部国产化，这是一条虽远但必须要走的路。

但是，正因为这些核心技术逐一被突破了，国内成熟制程的光刻机，有望实现国产化了。这些核心技术应用在上海微电子研制的28nm DUV光刻机上，能用来生产14nm芯片，如果再加上N 1工艺实现多重曝光，理论上还能生产7nm芯片。据悉，上海微电子的28nm就一直在传未能验收通过，但随着技术的逐一突破，还是有望尽快迎来组装下线。

因此，可以说是成熟制程上的国产光刻机不远了，高端光刻机还在进一步加快步伐研发着。只要能够坚持自给自足，构建成熟的产业链，加大研发投入，那么国产光刻机就真的不远了。